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Thin film technology applied to the development of a multilayer pressure sensor device

  • A. García-Alonso*
  • , E. Castaño
  • , I. Obieta
  • , J. Garcia
  • , FJ Gracia
  • *Autor correspondiente de este trabajo
  • Centro de Estudios e Investigaciones Técnicas de Gipuzkoa (CEIT)

Producción científica: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

11 Citas (Scopus)

Resumen

Thin film technology has been applied to the development of high-performance sensing devices based on nickel-chromium piezoresistive thin films. These sensing devices combine the high stability piezoresistive properties of an optimized NiCr metallic alloy with the high dielectric performance of a silicon dioxide thin layer, coating a stainless steel substrate. A complete production process, based on sputtering and photolithographic techniques, is proposed. The mechanical and electrical properties of the sensing device have been simultaneously optimized in order to obtain a highly reliable transducer.

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)1103-1105
Número de páginas3
PublicaciónVacuum
Volumen45
N.º10-11
DOI
EstadoPublicada - 1994
Publicado de forma externa

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Thin film technology applied to the development of a multilayer pressure sensor device'. En conjunto forman una huella única.

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